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栅极电荷美元飞兆具有低RDS(on)值、高坚固度和紧凑的小型封装的40V MOSFET

(华强电子世界网讯)飞兆半导体针对DC/DC转换推出5种N沟道40V MOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,为膝上型电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其它便携/手持式设备的电源设计,提供极佳的价格和效能优势。FDS4770的最大Rds(on)为7.5毫欧姆,是40V,SO-8封装的MOSFET中的极低水平,而最高结点温度为175,使得额定电流高于先前的所有型号。

这些40V 的MOSFET具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境—— 在存在高瞬态电压的应用或MOSFET需要承受增强应力的工作模式中,这可以带来更高的可靠性。根据特定应用所要求的输入和输出电压,这些40V MOSFET可用作同步整流器,或者在隔离和非隔离电源设计中用作初边或高边开关管。

所有5种产品均为要求高效能和高功率密度的低电压功率设备,提供最佳的性能/成本方案。其中,FDS4470具有低栅极电荷,可在高频条件下实现高效率,对驱动器电路造成的应力较小。FDS4480为用户提供另一种选择,其栅极电荷与RDS(on)的关系和FDS4470不同,而且价格极具吸引力。FDS4672A为低栅极驱动应用提供较低的阈值电压。FDS4780是FDS4480的低导通电阻版本,具有相同的栅极电荷,其FOM值(Qg*Rds(on))最佳。

这些产品与飞兆半导体的DC/DC转换解决方案相辅相成,如光隔离放大器(FOD27XX)、快速恢复二极管及PWM控制器。

现提供样品和批量供货,交货期在收到订单后8周。FDS4770批量1000个订货价格为每个1.95美元;FDS4470批量1000个订货价格为每个1.41美元;FDS4780则为每个1.65美元;FDS4480为每个0.96美元;FDS4672A为每个0.96美元。
(编辑 Maggie)

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