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电阻器件沟道Vishay推出新款P沟道功率MOSFET

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx2mm占位面积的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分别具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低导通电阻。最接近的竞争器件是具有8V栅源电压等级的20VP沟道功率MOSFET,在4.5V、1.8V和1.5V栅极驱动下的导通电阻分别为25.8mΩ、41.1mΩ和63.2mΩ,分别比SiA427DJ高36%、37%和47%。与采用标准SC-70封装的典型器件相比,在占用相同PCB面积的情况下,PowerPAKSC70在相同环境条件下可处理的功率耗散多40%。

SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAKSC-70封装为小型手持式电子设备进行了优化。新器件可用做手机智能手机、MP3播放器、数码相机、电子书和平板电脑等便携式设备中的负载开关。

对于这些设备而言,SiA427DJ更低的导通电阻意味着可实现更低的导通损耗,从而延长两次充电之间的电池寿命。器件在1.2V下的低导通电阻非常适合低总线电压。当电源线电压波动时,使用1.2V电源总线的应用也能够享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低导通电阻的好处,让SiA427DJ能够发挥最佳的整体节能效果。


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