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技术工艺波长台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光 EUV将用于22nm以下工艺

台积电(TSMC)于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。

该公司首先公布了未来的发展方针,表示继已量产的40nm工艺之后,预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中,将讨论使用以下三个候选方案。(1)193nm波长的液浸ArF曝光技术,(2)EUV曝光技术(NA 0.25),(3)电子束直描技术。

不过,到15nm工艺时,将无法使用193nm波长的液浸ArF曝光技术。TSMC表示,15nm工艺将考虑选用电子束直描或EUV曝光技术(NA 0.35)。



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