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三星纳米技术力晶聚焦NAND Flash 挑战20纳米

近期台湾创新存储器公司(TIMC)获得经济部补助,联合茂德、晶豪打算从NAND Flash产业重起炉灶,加上力晶、旺宏亦纷投入NAND Flash市场,3方人马点燃台湾NAND Flash战火。力晶董事长黄崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash产业6年来投入新台币70亿元,是台湾血统最纯正技术,目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍晚1个世代,但若未来成功走向20纳米制程,对台湾NAND Flash研发是很大突破。

事实上,力晶NAND Flash产品系师承日商瑞萨(Renesas),瑞萨原由日立(Hitachi)分割出来,最早日立和东芝(Toshiba)在竞争NAND Flash技术时,日立选择AG-AND Flash架构开发,但到90纳米制程后,瑞萨决定放弃NAND Flash产品线,当时力晶选择接手技术和专利,从75纳米切入一路开发至今。

力晶投入NAND Flash产品研发已达6年,投入研发资金高达70亿元,过去都将资源放在标准DRAM,2010年起因应多元化产品策略,开始将重心放在NAND Flash产品上。黄崇仁表示,力晶承袭瑞萨NAND Flash技术,是最正统NAND Flash技术架构,与国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等技术层次最为接近,目前NAND Flash产品已在出货中,2010年下半将转进40纳米制程,高容量16Gb产品将问世。

黄崇仁指出,目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍是晚1个世代,但若未来成功走向20纳米制程,对台湾NAND Flash技术研发是很大突破,因为现在很多大厂20纳米都还未确定可行,未来力晶NAND Flash会朝利基型市场发展,不会与国际大厂既有市场硬碰硬。

另外,TIMC日前亦藉由NAND Flash产品重起炉灶,获得经济部补助,将与茂德、晶豪合攻NAND Flash市场,技术是引进美商IC设计公司NanoStar技术,号称可避开现有NAND Flash大厂专利,为台湾存储器产业建立自有技术,目前已在茂德中科12寸晶圆厂进行试产。

至于旺宏对于从NOR Flash跨入NAND Flash产业亦相当积极,采用自行研发技术,预计2010年便可从75纳米制程切入试水温,第2阶段将导入57纳米制程,预估2010年下半NAND Flash产品线开始贡献营收。


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