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无锡晶片记忆体DRAM大厂海力士加码提高大陆厂制程技术

全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱,营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素,有鑑于大陆市场潜力巨大,该公司拟加码大陆资本投资金额,希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示,公司计划提高大陆厂制程技术,以生产高阶晶片。

海力士过去与恒忆半导体(Numonyx)合资在江苏无锡建厂,近期北京当局已批准海力士提出的收购计画,同意海力士以4.23亿美元,收购恒忆握有的20.7%股份,将无锡厂房转为海力士独资企业。

Lee指出,江苏外商投资属海力士无锡厂规模最巨,加上大陆当局提供行政协助,企业享有租税优惠,无锡厂于投产1年内便出现收益,当前该厂每月产能达16万片12吋晶圆,产能占海力士整体产出约5成,占全球DRAM产能11%左右。

当前公司从南韩派出上百名专业人士,赴无锡厂协助提升制程技术,以便该厂未来有能力生产高阶晶片。无锡厂当前倾注全力,加码投资,矢志于2011年起开始制造电脑用高阶记忆体晶片。

该厂将使用44奈米制程,加重高阶DRAM晶片产出比重,海力士2010年无锡厂投资金额总计将上探7亿美元,据该公司表示,该厂投资?`额将于2010年底攀升至55亿美元。此外海力?011年还会再度提升DRAM奈米制程技术。计划未来3年内每年皆将挹注等资金额,进行技术升级。

近期面对日本同业尔必达(Elpida)工布削减产能计画,Lee有意借机拉大与竞争对手差距。然因当前厂房尚有空间安装12吋晶圆设备,因此预期2013年前不会在大陆新建厂房。此外海力士与大陆本土企业无锡产业集团合资成立海太半导体,为海力士首座后端晶片(Back-EndChip)厂,当前已开始进行封测业务,每月产能达1亿片1GDRAM记忆体晶片。海太厂房邻近海力士无锡厂,可为海力士带来物流优势。

海力士认为大陆市场重要性攀升,决定采取先发制人策略,于当地进行高阶制程技术投资,目前已可见到初期效果。市场预估,2010年全球DRAM需求将有2成源自大陆地区。


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