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三星芯片闪存三星宣布收购美国MRAM芯片厂商Grandis

北京时间8月3日消息,据国外媒体报道,三星今天宣布,该公司已经收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。

Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者,芯片能耗更低,性能更高。但是,目前大规模制造MRAM芯片的成本过高。

三星称,Grandis将被整合到研发部门中。三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术,评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”。

三星和Grandis没有披露这一交易进一步的详细资料。Grandis成立于2002年,有约25名员工,尚未发售一款产品

Grandis业务发展副总裁亚历克斯•德利斯科尔-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示,通过去年与HynixSemiconductor达成的开发协议,该公司生产出了首款54纳米芯片。Grandis预计,未来5年该公司的生产工艺将发展到20纳米,甚至更先进。

Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统MRAM芯片的工艺一直是99纳米。

据德利斯科尔-史密斯称,与廉价的NAND闪存芯片相比,MRAM芯片写数据的能耗要低得多,“MRAM在许多方面要好于NAND闪存,NAND闪存芯片在改变每个存储位的状态时需要15伏至20伏的电压,需要的时间量级为微秒,甚至达到毫秒”。


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